石墨烯制備技術(shù)不斷突破。美國能源部旗下的阿貢實驗室(Argonne National Laboratory)新開發(fā)了一個應(yīng)用金剛石襯底材料通過超高速氣相沉積(CVD)法制備單晶石墨烯的技術(shù)，這個技術(shù)可以大大降低石墨烯膜的成本。在中國，北京大學(xué)和香港理工大學(xué)合作通過改進氣相沉積法來有效提高石墨烯單晶膜的生長速度。最近，更有日本研究者開發(fā)了低溫CVD方法直接將石墨烯生長在塑料或者二氧化硅基底上，來避免單晶膜轉(zhuǎn)移時可能受到的損傷。預(yù)計2018年會有更新穎的石墨烯制備技術(shù)出現(xiàn)。石墨烯產(chǎn)品良率進一步提高、制備成本進
產(chǎn)品分類